极速快三官网:三星2021年量产3nm工艺 性能提升35%

小熊在线 马甲 | 2019年05月15日
【小熊在线网 新闻报道】在智能手机、存储芯片业务陷入竞争不利或者跌价的困境之时,三星也将业务重点转向逻辑工艺代工。在今天的三星晶圆代工SFF美国 ......
【小熊在线网 新闻报道】在智能手机、存储芯片业务陷入竞争不利或者跌价的困境之时,三星也将业务重点转向逻辑工艺代工。在今天的三星晶圆代工SFF美国分会上,三星宣布四种FinFET工艺,涵盖了7nm到4nm,再往后则是3nm GAA工艺了,通过使用全新的晶体管结构可使性能提升35%、功耗降低50%,芯片面积缩小45%。

目前先进半导体制造工艺已经进入10nm节点以下,台积电去年率先量产7nm工艺,但没有EUV光刻工艺,三星则选择了直接进入7nm EUV工艺,进度上要比台积电落后一年,不过三星现在要加速追赶了。

除了7nm FinFET工艺之外,三星还规划了另外三种FinFET工艺——6nm、5nm、4nm,今年将完成6nm工艺的批量生产,并完成4nm工艺的开发。

今年4月份将完成5nm工艺的产品设计,下半年准备就绪,2020年三星将量产5nm工艺,这个进度差不多就跟台积电量产5nm工艺的时间同步了,后者也是2020年量产5nm工艺。

4nm工艺之后三星将进入3nm节点,官方称之为3GAE工艺,不过3nm工艺时代不再使用FinFET晶体管,而是使用全新的晶体管结构——GAA(Gate-All-Around环绕栅极)晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

此外,MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。虽然三星官方没有明确3GAE工艺量产时间,不过2021年量产是大概率事件。


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